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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

भाग संख्या : EPC2104ENGRT
निर्माता / ब्रांड : EPC
विवरण : MOSFET 2NCH 100V 23A DIE
RoHs स्थिति : लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 6250 pcs
डाटा शीट EPC2104ENGRT.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 5.5mA
प्रदायक डिवाइस पैकेज Die
शृंखला eGaN®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 6.3 mOhm @ 20A, 5V
पावर - मैक्स -
पैकेजिंग Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण Die
दुसरे नाम 917-EPC2104ENGRTR
परिचालन तापमान -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
निर्माता मानक लीड टाइम 16 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 800pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 7nC @ 5V
FET प्रकार 2 N-Channel (Half Bridge)
FET फ़ीचर GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100V
विस्तृत विवरण Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 23A
EPC2104ENGRT
EPC EPC आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं। उत्पाद विवरण के लिए उत्पाद विनिर्देश देखें।
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