भाग संख्या : |
EPC2107ENGRT |
निर्माता / ब्रांड : |
EPC |
विवरण : |
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा |
33224 pcs |
डाटा शीट |
EPC2107ENGRT.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज |
9-BGA (1.35x1.35) |
शृंखला |
eGaN® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस |
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
पावर - मैक्स |
- |
पैकेजिंग |
Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण |
9-VFBGA |
दुसरे नाम |
917-EPC2107ENGRTR |
परिचालन तापमान |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
FET प्रकार |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET फ़ीचर |
GaNFET (Gallium Nitride) |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) |
100V |
विस्तृत विवरण |
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस |
1.7A, 500mA |