भाग संख्या : | EPC2110 |
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निर्माता / ब्रांड : | EPC |
विवरण : | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 28253 pcs |
डाटा शीट | EPC2110.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 700µA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | Die |
शृंखला | eGaN® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 60 mOhm @ 4A, 5V |
पावर - मैक्स | - |
पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
पैकेज / प्रकरण | Die |
दुसरे नाम | 917-1152-1 |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 14 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 80pF @ 60V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 0.8nC @ 5V |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET फ़ीचर | GaNFET (Gallium Nitride) |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 120V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 3.4A |