भाग संख्या : | EPC2101ENG |
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निर्माता / ब्रांड : | EPC |
विवरण : | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 3829 pcs |
डाटा शीट | EPC2101ENG.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 2mA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | Die |
शृंखला | eGaN® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 11.5 mOhm @ 20A, 5V |
पावर - मैक्स | - |
पैकेजिंग | Tray |
पैकेज / प्रकरण | Die |
दुसरे नाम | 917-EPC2101ENG EPC2101ENGR_H5 EPC2101ENGRH5 |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 300pF @ 30V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 2.7nC @ 5V |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET फ़ीचर | GaNFET (Gallium Nitride) |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 9.5A, 38A |