भाग संख्या : |
EPC2101 |
निर्माता / ब्रांड : |
EPC |
विवरण : |
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा |
6393 pcs |
डाटा शीट |
EPC2101.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र |
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज |
Die |
शृंखला |
eGaN® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस |
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
पावर - मैक्स |
- |
पैकेजिंग |
Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण |
Die |
दुसरे नाम |
917-1181-2 |
परिचालन तापमान |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम |
14 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस |
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस |
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
FET प्रकार |
2 N-Channel (Half Bridge) |
FET फ़ीचर |
GaNFET (Gallium Nitride) |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) |
60V |
विस्तृत विवरण |
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस |
9.5A, 38A |