भाग संख्या : | SI3465DV-T1-GE3 |
---|---|
निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण : | MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 155064 pcs |
डाटा शीट | SI3465DV-T1-GE3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 6-TSOP |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 80 mOhm @ 4A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 1.14W (Ta) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 15 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 5.5nC @ 5V |
FET प्रकार | P-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
विस्तृत विवरण | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 3A (Ta) |