भाग संख्या : | SI3464DV-T1-GE3 |
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निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण : | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 128697 pcs |
डाटा शीट | SI3464DV-T1-GE3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±8V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 6-TSOP |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 2W (Ta), 3.6W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
दुसरे नाम | SI3464DV-T1-GE3TR SI3464DVT1GE3 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 27 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1065pF @ 10V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 18nC @ 5V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.8V, 4.5V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 8A (Tc) |