भाग संख्या : | ZXMN3G32DN8TA |
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निर्माता / ब्रांड : | Diodes Incorporated |
विवरण : | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 57007 pcs |
डाटा शीट | ZXMN3G32DN8TA.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3V @ 250µA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SO |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 28 mOhm @ 6A, 10V |
पावर - मैक्स | 1.8W |
पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
दुसरे नाम | 1034-ZXMN3G32DN8CT |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 26 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 472pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 10.5nC @ 10V |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) |
FET फ़ीचर | Logic Level Gate |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5.5A |