| भाग संख्या : |
VT6J1T2CR |
| निर्माता / ब्रांड : |
LAPIS Semiconductor |
| विवरण : |
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा |
329958 pcs |
| डाटा शीट |
1.VT6J1T2CR.pdf2.VT6J1T2CR.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र |
1V @ 100µA |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज |
VMT6 |
| शृंखला |
- |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस |
3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| पावर - मैक्स |
120mW |
| पैकेजिंग |
Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण |
6-SMD, Flat Leads |
| दुसरे नाम |
VT6J1T2CRCT |
| परिचालन तापमान |
150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम |
17 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस |
15pF @ 10V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस |
- |
| FET प्रकार |
2 P-Channel (Dual) |
| FET फ़ीचर |
Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) |
20V |
| विस्तृत विवरण |
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस |
100mA |
LAPIS Semiconductor
