| भाग संख्या : | VQ1006P-2 |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| विवरण : | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP |
| RoHs स्थिति : | लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है |
| उपलब्ध मात्रा | 4981 pcs |
| डाटा शीट | VQ1006P-2.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 1mA |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 14-DIP |
| शृंखला | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| पावर - मैक्स | 2W |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | - |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Contains lead / RoHS non-compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 60pF @ 25V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | - |
| FET प्रकार | 4 N-Channel |
| FET फ़ीचर | Logic Level Gate |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 90V |
| विस्तृत विवरण | Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 400mA |
