भाग संख्या : | TK35A65W,S5X |
---|---|
निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | MOSFET N-CH 650V 35A TO-220 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 7524 pcs |
डाटा शीट | TK35A65W,S5X.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.5V @ 2.1mA |
वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220SIS |
शृंखला | DTMOSIV |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 80 mOhm @ 17.5A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 50W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 Full Pack |
दुसरे नाम | TK35A65W,S5X(M TK35A65W,S5X-ND TK35A65WS5X |
परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 4100pF @ 300V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 100nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 35A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 35A (Ta) |