भाग संख्या : | TK25E60X5,S1X |
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निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 16137 pcs |
डाटा शीट | TK25E60X5,S1X.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4.5V @ 1.2mA |
वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220 |
शृंखला | DTMOSIV-H |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 140 mOhm @ 7.5A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 180W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
दुसरे नाम | TK25E60X5,S1X(S TK25E60X5S1X |
परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2400pF @ 300V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 60nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 600V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 25A (Ta) |