भाग संख्या : | TK22E10N1,S1X |
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निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | MOSFET N CH 100V 52A TO220 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 54650 pcs |
डाटा शीट | TK22E10N1,S1X.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 300µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220 |
शृंखला | U-MOSVIII-H |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 13.8 mOhm @ 11A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 72W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
दुसरे नाम | TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1S1X |
परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1800pF @ 50V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 28nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 100V 52A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 52A (Tc) |