| भाग संख्या : | TK17N65W,S1F |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| विवरण : | MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247 |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 17904 pcs |
| डाटा शीट | TK17N65W,S1F.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.5V @ 900µA |
| वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-247 |
| शृंखला | DTMOSIV |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 200 mOhm @ 8.7A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 165W (Tc) |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-247-3 |
| दुसरे नाम | TK17N65W,S1F(S TK17N65WS1F |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1800pF @ 300V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 45nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247 |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 17.3A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
