भाग संख्या : | TK160F10N1L,LQ |
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निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 20955 pcs |
डाटा शीट | TK160F10N1L,LQ.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.5V @ 1mA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220SM(W) |
शृंखला | U-MOSVIII-H |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 2.4 mOhm @ 80A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 375W (Tc) |
पैकेज / प्रकरण | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
दुसरे नाम | TK160F10N1LLQ |
परिचालन तापमान | 175°C |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 10100pF @ 10V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 122nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 6V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 100V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W) |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 160A (Ta) |