भाग संख्या : | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
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निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 43346 pcs |
डाटा शीट | 1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3V @ 1mA |
वीजीएस (मैक्स) | +10V, -20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | DPAK+ |
शृंखला | U-MOSVI |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 68W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
दुसरे नाम | TJ30S06M3L(T6L1NQ TJ30S06M3LT6L1NQ |
परिचालन तापमान | 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 3950pF @ 10V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 80nC @ 10V |
FET प्रकार | P-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 6V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V |
विस्तृत विवरण | P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 30A (Ta) |