भाग संख्या : | STU6N60M2 |
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निर्माता / ब्रांड : | STMicroelectronics |
विवरण : | MOSFET N-CH 600V IPAK |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 51444 pcs |
डाटा शीट | STU6N60M2.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±25V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | I-PAK |
शृंखला | MDmesh™ II Plus |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 60W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
दुसरे नाम | 497-13978-5 STU6N60M2-ND |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 232pF @ 100V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 13.5nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 600V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 4.5A (Tc) |