| भाग संख्या : | SSM3J36MFV,L3F |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| विवरण : | MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 4516 pcs |
| डाटा शीट | SSM3J36MFV,L3F.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - |
| वीजीएस (मैक्स) | ±8V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | VESM |
| शृंखला | U-MOSIII |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 150mW (Ta) |
| पैकेजिंग | Original-Reel® |
| पैकेज / प्रकरण | SOT-723 |
| दुसरे नाम | SSM3J36MFV(TL3T)DKR SSM3J36MFV(TL3T)DKR-ND SSM3J36MFVL3FDKR |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 43pF @ 10V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 1.2nC @ 4V |
| FET प्रकार | P-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.5V, 4.5V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
| विस्तृत विवरण | P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 330mA (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
