भाग संख्या : | SIHP28N65E-GE3 |
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निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण : | MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
RoHs स्थिति : | |
उपलब्ध मात्रा | 10695 pcs |
डाटा शीट | SIHP28N65E-GE3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 112 mOhm @ 14A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 250W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 3405pF @ 100V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 140nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 29A (Tc) |