भाग संख्या : | SI8851EDB-T2-E1 |
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निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण : | MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 125829 pcs |
डाटा शीट | SI8851EDB-T2-E1.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±8V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | Power Micro Foot® (2.4x2) |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 8 mOhm @ 7A, 4.5V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 660mW (Ta) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 30-XFBGA |
दुसरे नाम | SI8851EDB-T2-E1TR |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 6900pF @ 10V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 180nC @ 8V |
FET प्रकार | P-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.8V, 4.5V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
विस्तृत विवरण | P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2) |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 7.7A (Ta) |
आधार भाग संख्या | SI8851 |