भाग संख्या : | SI8261BAD-C-ISR |
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निर्माता / ब्रांड : | Energy Micro (Silicon Labs) |
विवरण : | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 22040 pcs |
डाटा शीट | SI8261BAD-C-ISR.pdf |
वोल्टेज आपूर्ति | 6.5 V ~ 30 V |
वोल्टेज - अलगाव | 5000Vrms |
वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप) | 2.8V (Max) |
प्रौद्योगिकी | Capacitive Coupling |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 6-SDIP |
शृंखला | Automotive, AEC-Q100 |
उठो / पतन समय (टाइप) | 5.5ns, 8.5ns |
पल्स चौड़ाई विरूपण (मैक्स) | 28ns |
प्रचार विलंब टीपीएलएच / टीपीएचएल (मैक्स) | 60ns, 50ns |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
दुसरे नाम | 336-5207-2 SI8261BAD-C-ISR-ND |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 125°C |
चैनलों की संख्या | 1 |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 Hours) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 6 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
विस्तृत विवरण | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP |
वर्तमान - पीक उत्पादन | 4A |
वर्तमान - आउटपुट हाई, लो | 500mA, 1.2A |
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स) | 30mA |
आम मोड क्षणिक प्रतिरक्षा (न्यूनतम) | 35kV/µs |
स्वीकृति | CQC, CSA, UR, VDE |