भाग संख्या : | SI7860ADP-T1-GE3 |
---|---|
निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण : | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 5133 pcs |
डाटा शीट | SI7860ADP-T1-GE3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | PowerPAK® SO-8 |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 1.8W (Ta) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | PowerPAK® SO-8 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 18nC @ 4.5V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 11A (Ta) |