भाग संख्या : | SI3905DV-T1-GE3 |
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निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण : | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 4549 pcs |
डाटा शीट | SI3905DV-T1-GE3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 450mV @ 250µA (Min) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 6-TSOP |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
पावर - मैक्स | 1.15W |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | - |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 6nC @ 4.5V |
FET प्रकार | 2 P-Channel (Dual) |
FET फ़ीचर | Logic Level Gate |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 8V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | - |