भाग संख्या : | SI3460DV-T1-E3 |
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निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण : | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 27368 pcs |
डाटा शीट | SI3460DV-T1-E3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 450mV @ 1mA (Min) |
वीजीएस (मैक्स) | ±8V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 6-TSOP |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 1.1W (Ta) |
पैकेजिंग | Original-Reel® |
पैकेज / प्रकरण | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
दुसरे नाम | SI3460DV-T1-E3DKR |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 20nC @ 4.5V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.8V, 4.5V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5.1A (Ta) |