भाग संख्या : | SCT3120ALGC11 |
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निर्माता / ब्रांड : | LAPIS Semiconductor |
विवरण : | MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 5101 pcs |
डाटा शीट | 1.SCT3120ALGC11.pdf2.SCT3120ALGC11.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5.6V @ 3.33mA |
वीजीएस (मैक्स) | +22V, -4V |
प्रौद्योगिकी | SiCFET (Silicon Carbide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-247N |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 103W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-247-3 |
परिचालन तापमान | 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 460pF @ 500V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 38nC @ 18V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 18V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 21A (Tc) |