भाग संख्या : |
SCT2750NYTB |
निर्माता / ब्रांड : |
LAPIS Semiconductor |
विवरण : |
1700V .75 OHM 6A SIC FET |
RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा |
5498 pcs |
डाटा शीट |
1.SCT2750NYTB.pdf2.SCT2750NYTB.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र |
4V @ 630µA |
वीजीएस (मैक्स) |
+22V, -6V |
प्रौद्योगिकी |
MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज |
TO-268 |
शृंखला |
- |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस |
975 mOhm @ 1.7A, 18V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) |
57W (Tc) |
पैकेजिंग |
Cut Tape (CT) |
पैकेज / प्रकरण |
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
दुसरे नाम |
SCT2750NYTBCT |
परिचालन तापमान |
175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस |
275pF @ 800V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस |
17nC @ 18V |
FET प्रकार |
N-Channel |
FET फ़ीचर |
- |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) |
18V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) |
1700V |
विस्तृत विवरण |
N-Channel 1700V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस |
5.9A (Tc) |