भाग संख्या : | RS1BL R3G |
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निर्माता / ब्रांड : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
विवरण : | DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 630075 pcs |
डाटा शीट | RS1BL R3G.pdf |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.3V @ 800mA |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100V |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | Sub SMA |
गति | Fast Recovery = 200mA (Io) |
शृंखला | - |
रिवर्स वसूली समय (trr) | 150ns |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | DO-219AB |
दुसरे नाम | RS1BL R3G-ND RS1BLR3G |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 25 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
डायोड प्रकार | Standard |
विस्तृत विवरण | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA |
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5µA @ 100V |
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 800mA |
समाई @ वीआर, एफ | 10pF @ 4V, 1MHz |