भाग संख्या : | RN2910FE,LF(CB |
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निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 1459077 pcs |
डाटा शीट | RN2910FE,LF(CB.pdf |
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 50V |
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 300mV @ 250µA, 5mA |
ट्रांजिस्टर प्रकार | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | ES6 |
शृंखला | - |
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) | - |
प्रतिरोधी - आधार (आर 1) | 4.7 kOhms |
पावर - मैक्स | 100mW |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | SOT-563, SOT-666 |
दुसरे नाम | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 16 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
आवृत्ति - संक्रमण | 200MHz |
विस्तृत विवरण | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 100nA (ICBO) |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 100mA |