| भाग संख्या : |
RN1909FE(TE85L,F) |
| निर्माता / ब्रांड : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| विवरण : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा |
390171 pcs |
| डाटा शीट |
RN1909FE(TE85L,F).pdf |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) |
50V |
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी |
300mV @ 250µA, 5mA |
| ट्रांजिस्टर प्रकार |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज |
ES6 |
| शृंखला |
- |
| प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) |
22 kOhms |
| प्रतिरोधी - आधार (आर 1) |
47 kOhms |
| पावर - मैक्स |
100mW |
| पैकेजिंग |
Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण |
SOT-563, SOT-666 |
| दुसरे नाम |
RN1909FE(TE85LF)CT |
| माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
| आवृत्ति - संक्रमण |
250MHz |
| विस्तृत विवरण |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) |
100nA (ICBO) |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
