भाग संख्या : | RN1406,LF |
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निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 1582605 pcs |
डाटा शीट | RN1406,LF.pdf |
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 50V |
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 300mV @ 250µA, 5mA |
ट्रांजिस्टर प्रकार | NPN - Pre-Biased |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | S-Mini |
शृंखला | - |
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) | 47 kOhms |
प्रतिरोधी - आधार (आर 1) | 4.7 kOhms |
पावर - मैक्स | 200mW |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
दुसरे नाम | RN1406,LF(B RN1406,LF(T RN1406LFTR RN1406S,LF RN1406SLF RN1406SLFTR RN1406SLFTR-ND |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 12 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
आवृत्ति - संक्रमण | 250MHz |
विस्तृत विवरण | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 500nA |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 100mA |
आधार भाग संख्या | RN140* |