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NXPLQSC10650Q

भाग संख्या : NXPLQSC10650Q
निर्माता / ब्रांड : WeEn Semiconductors Co., Ltd
विवरण : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
RoHs स्थिति :
उपलब्ध मात्रा 19003 pcs
डाटा शीट NXPLQSC10650Q.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.85V @ 10A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 650V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AC
गति No Recovery Time > 500mA (Io)
शृंखला -
रिवर्स वसूली समय (trr) 0ns
पैकेजिंग Tube
पैकेज / प्रकरण TO-220-2
दुसरे नाम 1740-1223
934070147127
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन 175°C (Max)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
डायोड प्रकार Silicon Carbide Schottky
विस्तृत विवरण Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 230µA @ 650V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 10A
समाई @ वीआर, एफ 250pF @ 1V, 1MHz
NXPLQSC10650Q
WeEn Semiconductors Co., Ltd WeEn Semiconductors Co., Ltd आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं। उत्पाद विवरण के लिए उत्पाद विनिर्देश देखें।
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