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NTLUS3A18PZTCG

भाग संख्या : NTLUS3A18PZTCG
निर्माता / ब्रांड : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
विवरण : MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
RoHs स्थिति : लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 183825 pcs
डाटा शीट NTLUS3A18PZTCG.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±8V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 6-UDFN (2x2)
शृंखला -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 18 mOhm @ 7A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 700mW (Ta)
पैकेजिंग Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण 6-UDFN Exposed Pad
दुसरे नाम NTLUS3A18PZTCG-ND
NTLUS3A18PZTCGOSTR
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
निर्माता मानक लीड टाइम 2 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2240pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 28nC @ 4.5V
FET प्रकार P-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.5V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20V
विस्तृत विवरण P-Channel 20V 5.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.1A (Ta)
NTLUS3A18PZTCG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं। उत्पाद विवरण के लिए उत्पाद विनिर्देश देखें।
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