भाग संख्या : | NTD5865N-1G |
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निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 4566 pcs |
डाटा शीट | NTD5865N-1G.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | DPAK |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 18 mOhm @ 20A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 71W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
दुसरे नाम | NTD5865N-1G-ND NTD5865N-1GOS |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1261pF @ 25V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 23nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 60V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 43A (Tc) |