भाग संख्या : |
NTB5605P |
निर्माता / ब्रांड : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : |
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
RoHs स्थिति : |
लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है |
उपलब्ध मात्रा |
4355 pcs |
डाटा शीट |
NTB5605P.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र |
2V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) |
±20V |
प्रौद्योगिकी |
MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज |
D2PAK |
शृंखला |
- |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस |
140 mOhm @ 8.5A, 5V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) |
88W (Tc) |
पैकेजिंग |
Tube |
पैकेज / प्रकरण |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
परिचालन तापमान |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Contains lead / RoHS non-compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस |
1190pF @ 25V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस |
22nC @ 5V |
FET प्रकार |
P-Channel |
FET फ़ीचर |
- |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) |
5V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) |
60V |
विस्तृत विवरण |
P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस |
18.5A (Ta) |