भाग संख्या : | NSBC124XDXV6T1G |
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निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 418811 pcs |
डाटा शीट | NSBC124XDXV6T1G.pdf |
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 50V |
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 250mV @ 1mA, 10mA |
ट्रांजिस्टर प्रकार | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOT-563 |
शृंखला | - |
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) | 47 kOhms |
प्रतिरोधी - आधार (आर 1) | 22 kOhms |
पावर - मैक्स | 500mW |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | SOT-563, SOT-666 |
दुसरे नाम | NSBC124XDXV6T1GOS NSBC124XDXV6T1GOS-ND NSBC124XDXV6T1GOSTR |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 16 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
आवृत्ति - संक्रमण | - |
विस्तृत विवरण | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 500nA |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 100mA |
आधार भाग संख्या | NSBC1* |