भाग संख्या : | NCV5183DR2G |
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निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : | IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 29655 pcs |
डाटा शीट | NCV5183DR2G.pdf |
वोल्टेज आपूर्ति | 9 V ~ 18 V |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SOIC |
शृंखला | Automotive, AEC-Q100 |
उठो / पतन समय (टाइप) | 12ns, 12ns |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
दुसरे नाम | NCV5183DR2GOSTR |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 125°C (TJ) |
इनपुट आवृत्ति | 2 |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 26 Weeks |
तर्क वोल्ट - वीआईएल, VIH | 1.2V, 2.5V |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट प्रकार | Non-Inverting |
उच्च पक्ष वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप) | 600V |
गेट प्रकार | N-Channel MOSFET |
प्रेरित कॉन्फ़िगरेशन | Half-Bridge |
विस्तृत विवरण | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) | 4.3A, 4.3A |
आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स) | Independent |