| भाग संख्या : | MURTA20020R |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | GeneSiC Semiconductor |
| विवरण : | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 472 pcs |
| डाटा शीट | MURTA20020R.pdf |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.3V @ 100A |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 200V |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | Three Tower |
| गति | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| शृंखला | - |
| पैकेजिंग | Bulk |
| पैकेज / प्रकरण | Three Tower |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C |
| माउन्टिंग का प्रकार | Chassis Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 4 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| डायोड प्रकार | Standard |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Anode |
| विस्तृत विवरण | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 25µA @ 200V |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | 100A |
GeneSiC Semiconductor
