| भाग संख्या : |
MURT10005R |
| निर्माता / ब्रांड : |
GeneSiC Semiconductor |
| विवरण : |
DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER |
| RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा |
554 pcs |
| डाटा शीट |
1.MURT10005R.pdf2.MURT10005R.pdf |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं |
1.3V @ 50A |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) |
50V |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज |
Three Tower |
| गति |
Fast Recovery = 200mA (Io) |
| शृंखला |
- |
| रिवर्स वसूली समय (trr) |
75ns |
| पैकेजिंग |
Bulk |
| पैकेज / प्रकरण |
Three Tower |
| दुसरे नाम |
MURT10005RGN |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन |
-55°C ~ 150°C |
| माउन्टिंग का प्रकार |
Chassis Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम |
4 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
| डायोड प्रकार |
Standard |
| डायोड विन्यास |
1 Pair Common Anode |
| विस्तृत विवरण |
Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर |
25µA @ 50V |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) |
100A (DC) |
GeneSiC Semiconductor
