भाग संख्या : | MUN5113DW1T1G |
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निर्माता / ब्रांड : | ON Semiconductor |
विवरण : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 1001518 pcs |
डाटा शीट | MUN5113DW1T1G.pdf |
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 100mA |
वोल्टेज - टूटने | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 50V |
शृंखला | - |
RoHS स्थिति | Tape & Reel (TR) |
रोकनेवाला - emitter बेस (R2) (ओम) | 47k |
रोकनेवाला - बेस (आर 1) (ओम) | - |
पावर - मैक्स | 250mW |
ध्रुवीकरण | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
दुसरे नाम | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
शोर चित्रा (DB प्रकार @ च) | 47k |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 10 Weeks |
उत्पादक हिस्सा करमार्क | MUN5113DW1T1G |
आवृत्ति - संक्रमण | 80 @ 5mA, 10V |
विस्तारित विवरण | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
विवरण | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 500nA |
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 250mV @ 300µA, 10mA |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |