| भाग संख्या : | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | Micron Technology |
| विवरण : | IC DRAM 16G 800MHZ FBGA |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 1520 pcs |
| डाटा शीट | |
| लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ | - |
| वोल्टेज आपूर्ति | 1.2V |
| प्रौद्योगिकी | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| शृंखला | - |
| दुसरे नाम | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-ND MT52L256M64D2QB-125XTES:B |
| परिचालन तापमान | - |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 Hours) |
| स्मृति के प्रकार | Volatile |
| मेमोरी का आकार | 16Gb (256M x 64) |
| मेमोरी इंटरफेस | - |
| मेमोरी प्रारूप | DRAM |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| विस्तृत विवरण | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz |
| घड़ी आवृत्ति | 800MHz |
