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MIEB101H1200EH

भाग संख्या : MIEB101H1200EH
निर्माता / ब्रांड : IXYS Corporation
विवरण : IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
RoHs स्थिति : लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 348 pcs
डाटा शीट MIEB101H1200EH.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) 1200V
Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी 2.2V @ 15V, 100A
प्रदायक डिवाइस पैकेज E3
शृंखला -
पावर - मैक्स 630W
पैकेज / प्रकरण E3
परिचालन तापमान -40°C ~ 125°C (TJ)
एनटीसी Thermistor No
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट समाई (CIES) @ Vce 7.43nF @ 25V
इनपुट Standard
आईजीबीटी प्रकार -
विस्तृत विवरण IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) 300µA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) 183A
विन्यास Full Bridge Inverter
IXYS Corporation आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं। उत्पाद विवरण के लिए उत्पाद विनिर्देश देखें।
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