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JAN2N3501

भाग संख्या : JAN2N3501
निर्माता / ब्रांड : Microsemi
विवरण : TRANS NPN 150V 0.3A
RoHs स्थिति : लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
उपलब्ध मात्रा 3506 pcs
डाटा शीट JAN2N3501.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) 150V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी 400mV @ 15mA, 150mA
ट्रांजिस्टर प्रकार NPN
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-39 (TO-205AD)
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/366
पावर - मैक्स 1W
पैकेजिंग Bulk
पैकेज / प्रकरण TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
दुसरे नाम 1086-2348
1086-2348-MIL
परिचालन तापमान -65°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
निर्माता मानक लीड टाइम 23 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Contains lead / RoHS non-compliant
आवृत्ति - संक्रमण -
विस्तृत विवरण Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce 100 @ 150mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) 10µA (ICBO)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) 300mA
JAN2N3501
Microsemi Microsemi आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं। उत्पाद विवरण के लिए उत्पाद विनिर्देश देखें।
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