भाग संख्या : | IS61NVP51236B-200B3I |
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निर्माता / ब्रांड : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
विवरण : | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 5570 pcs |
डाटा शीट | IS61NVP51236B-200B3I.pdf |
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ | - |
वोल्टेज आपूर्ति | 2.375 V ~ 2.625 V |
प्रौद्योगिकी | SRAM - Synchronous |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 165-TFBGA (13x15) |
शृंखला | - |
पैकेजिंग | Tray |
पैकेज / प्रकरण | 165-TBGA |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C (TA) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 Hours) |
स्मृति के प्रकार | Volatile |
मेमोरी का आकार | 18Mb (512K x 36) |
मेमोरी इंटरफेस | Parallel |
मेमोरी प्रारूप | SRAM |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
विस्तृत विवरण | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15) |
घड़ी आवृत्ति | 200MHz |
अभिगम समय | 3ns |