| भाग संख्या : | IS43DR16160A-25EBL |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| विवरण : | IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 5171 pcs |
| डाटा शीट | IS43DR16160A-25EBL.pdf |
| लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ | 15ns |
| वोल्टेज आपूर्ति | 1.7 V ~ 1.9 V |
| प्रौद्योगिकी | SDRAM - DDR2 |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 84-TWBGA (8x12.5) |
| शृंखला | - |
| पैकेजिंग | Tray |
| पैकेज / प्रकरण | 84-TFBGA |
| परिचालन तापमान | 0°C ~ 70°C (TA) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 Hours) |
| स्मृति के प्रकार | Volatile |
| मेमोरी का आकार | 256Mb (16M x 16) |
| मेमोरी इंटरफेस | Parallel |
| मेमोरी प्रारूप | DRAM |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| विस्तृत विवरण | SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5) |
| घड़ी आवृत्ति | 400MHz |
| अभिगम समय | 400ns |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
