भाग संख्या : | IRLI610ATU |
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निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 5432 pcs |
डाटा शीट | IRLI610ATU.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | I2PAK (TO-262) |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 240pF @ 25V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 9nC @ 5V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 5V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 200V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 200V 3.3A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 3.3A (Tc) |