| भाग संख्या : | FQPF3P50 |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| विवरण : | MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 5827 pcs |
| डाटा शीट | FQPF3P50.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 250µA |
| वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220F |
| शृंखला | QFET® |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 4.9 Ohm @ 950mA, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 39W (Tc) |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 Full Pack |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 660pF @ 25V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 23nC @ 10V |
| FET प्रकार | P-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 500V |
| विस्तृत विवरण | P-Channel 500V 1.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 1.9A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
