भाग संख्या : | FDMD8900 |
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निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : | MOSFET 2N-CH 30V POWER |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 31229 pcs |
डाटा शीट | FDMD8900.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 250µA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 12-Power3.3x5 |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 4 mOhm @ 19A, 10V |
पावर - मैक्स | 2.1W |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 12-PowerWDFN |
दुसरे नाम | FDMD8900TR |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 39 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2605pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 35nC @ 10V |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) |
FET फ़ीचर | Standard |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 19A, 17A |