भाग संख्या : | FCP165N65S3R0 |
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निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : | SUPERFET3 650V TO220 PKG |
RoHs स्थिति : | |
उपलब्ध मात्रा | 20466 pcs |
डाटा शीट | FCP165N65S3R0.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4.5V @ 1.9mA |
वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220-3 |
शृंखला | SuperFET® III |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 165 mOhm @ 9.5A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 154W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
लीड फ्री स्टेटस | Lead free |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1500pF @ 400V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 39nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 19A (Tc) |