| भाग संख्या : | EPC8002 |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | EPC |
| विवरण : | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 19830 pcs |
| डाटा शीट | 1.EPC8002.pdf2.EPC8002.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 250µA |
| वीजीएस (मैक्स) | +6V, -4V |
| प्रौद्योगिकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | Die |
| शृंखला | eGaN® |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | - |
| पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण | Die |
| दुसरे नाम | 917-1118-1 |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 12 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 21pF @ 32.5V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 5V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 65V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) |
