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EPC2034ENGRT

भाग संख्या : EPC2034ENGRT
निर्माता / ब्रांड : EPC
विवरण : TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
RoHs स्थिति : लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 6756 pcs
डाटा शीट EPC2034ENGRT.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 7mA
वीजीएस (मैक्स) +6V, -4V
प्रौद्योगिकी GaNFET (Gallium Nitride)
प्रदायक डिवाइस पैकेज Die
शृंखला eGaN®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10 mOhm @ 20A, 5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) -
पैकेजिंग Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण Die
दुसरे नाम 917-1142-2
917-1142-2-ND
917-EPC2034ENGRTR
परिचालन तापमान -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 940pF @ 100V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.5nC @ 5V
FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200V
विस्तृत विवरण N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 31A (Ta)
EPC2034ENGRT
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