भाग संख्या : | EPC2034ENGRT |
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निर्माता / ब्रांड : | EPC |
विवरण : | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 6756 pcs |
डाटा शीट | EPC2034ENGRT.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 7mA |
वीजीएस (मैक्स) | +6V, -4V |
प्रौद्योगिकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | Die |
शृंखला | eGaN® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 10 mOhm @ 20A, 5V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | - |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | Die |
दुसरे नाम | 917-1142-2 917-1142-2-ND 917-EPC2034ENGRTR |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 940pF @ 100V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 8.5nC @ 5V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 5V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 200V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 31A (Ta) |